| バックナンバー一覧 >> 2010 Vol.22 No.6 >> 特集 |
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  NTT物性科学基礎研究所では、発足当初より情報通信の発展に寄与する材料研究に取り組んでおり、半導体結晶材料や光ファイバガラス材料など、大きなインパクトを持つ材料開発を実現してきた。本特集では最先端の材料研究の現状と将来展望について紹介する。 |
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材料基礎研究への取り組み
NTT研究所では、発足当初より情報通信の発展に寄与する材料研究に取り組んでおり、半導体結晶材料、光ファイバガラス材料など大きなインパクトを持つ成果をもたらしてきました。現在も、将来想定される社会的な課題の解決に向けて、高度な機能を有する材料の基礎研究に取り組んでいます。本特集では4つの材料研究を紹介します。 |
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波長210nm遠紫外発光ダイオードの高効率化
NTT物性科学基礎研究所は、窒化アルミニウム（AlN）を半導体発光材料に用いた世界最短波長210nmの遠紫外発光ダイオード（LED）を開発しています。本稿では、従来の半導体発光材料にはなかった特定の方向に強く発光するAlNの特性を活かした遠紫外LEDの高効率化技術について紹介します。 |
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ダイヤモンド高周波電力デバイス
通信衛星、携帯基地局などの情報通信システムの高周波化、高出力化とエネルギーの高効率化につながる、ダイヤモンド半導体と高周波電力デバイスの研究の状況と可能性を解説します。ダイヤモンド半導体は、高周波電力デバイスとして最高の物理的な性質を持っています。NTTでは最高品質ダイヤモンド結晶を育成し、それを用いてトランジスタを作製し、世界最高の高周波電力特性を達成しました。 |
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シリコンカーバイド上のグラフェン成長
炭素原子の2次元シートであるグラフェンが、次世代のエレクトロニクス材料として注目を集めています。NTT物性科学基礎研究所では、将来のグラフェンエレクトロニクス産業の基礎となる単結晶グラフェン基板の創製を目指して、シリコンカーバイドの熱分解により成長したグラフェンの構造と物性を、実験と理論の両面から解明しています。 |
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新しい低次元半導体ナノ構造の創出へ向けて
半導体ナノワイヤと呼ばれる1次元のナノ構造が、将来の高機能デバイスへの応用に向けて近年広く注目を集めています。本稿では、NTT物性科学基礎研究所が取り組んでいるナノワイヤ結晶成長方法であるVLS（Vapor-Liquid-Solid）法によって作製したさまざまな構造とその特徴について紹介します。 |
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| □主役登場 |
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